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Si表面のフラッシングによる清浄化。

Si表面のフラッシングによる清浄化。

半導体Si(シリコン)を通電加熱によって1250度まで加熱して、原子レベルで表面の清浄化を行っている様子です。

http://www.nicovideo.jp/watch/sm3315839