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Si表面のフラッシングによる清浄化。
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2008/05/15 00:14:50 投稿
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半導体Si(シリコン)を通電加熱によって1250度まで加熱して、原子レベルで表面の清浄化を行っている様子です。
http://www.nicovideo.jp/watch/sm3315839
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